三星轻薄型LPDDR5X DRAM的封装厚度仅0.65mm，散热控制能力更强，适合端侧AI在移动端的应用

LPDDR封装采用12纳米级工艺，四层堆叠，在提升Die密度的同时，减少厚度，提高耐热性

深圳2024年8月6日 /美通社/ -- 2024年8月6日，三星电子今日宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM（内存）开始量产，支持12GB和16GB容量。这将进一步巩固三星在低功耗内存市场的地位。

三星LPDDR5X DRAM

凭借在芯片封装领域丰富的技术经验，三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封装，使移动设备内有多余的空间，促进空气流动。散热控制能力因此得到提升，这一属性对于像端侧人工智能类具有复杂功能的高性能应用尤为关键。

三星LPDDR5X DRAM封装示意图

“LPDDR5X DRAM在具备卓越的移动端低功耗性能的同时，还能在超轻薄的封装中提供先进的热管理功能，为高性能端侧AI解决方案树立了新标准。”三星电子存储器产品企划团队执行副总裁YongCheol Bae表示。“三星将持之以恒地与客户密切合作，不断创新，提供能够满足符合时代的低功耗DRAM解决方案。

凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内最薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。

三星LPDDR5X DRAM紧有0.65mm，薄如指甲

通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。

三星计划通过向移动处理器生产商，和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片，继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。

除非经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。

[1] 四层堆叠封装，每层均由两片LPDDR DRAM芯片组成

[2] 用于保护半导体电路免受高温、冲击和潮湿等外部环境影响的材料。

[3] 研磨晶圆的背面使厚度变薄的工艺

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